- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W；1.35W；650mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 375 | |
| 特征频率(fT) | 140MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV；600mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | 独立式 |
商品概述
采用表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP中功率晶体管系列。
商品特性
- 高电流
- 三种电流增益可选
- 高功率耗散能力
- 外露散热片，具备出色的热导率和电导率（SOT89、SOT1061）
- 无引脚、超小型、具备中功率能力的SMD塑料封装（SOT1061）
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 线性稳压器
- 高端开关
- 电池驱动设备
- 电源管理
- MOSFET驱动器
- 放大器