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MT28EW01GABA1LJS-0SIT
1Gb，x8/x16，3V嵌入式并行NOR闪存
- 描述
- 特性：单级单元（SLC）工艺技术。 密度：1Gb。 电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。 异步随机/页面读取。 页面大小：16 字或 32 字节。 页面访问：20ns
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT28EW01GABA1LJS-0SIT
- 商品编号
- C2064354
- 商品封装
- TSOP-56-14.0mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 200ms@(128KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | FLASH - NOR |
| 存储器格式 | 闪存 |
| 供应商器件封装 | 56-TSOP |
| 存储容量 | 1Gb（128M x 8，64M x 16） |
| 写周期时间-字，页 | 60ns |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 95ns |
| 电压-供电 | 2.7V ~ 3.6V |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
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