MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR
MT28FW02GBBA1HPC 0AAT TR
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR
- 商品编号
- C2066085
- 商品封装
- LBGA-64(11x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~3.6V | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 60ns | |
| 块擦除时间(tBE) | 200ms@(128KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；软件写保护 |
商品特性
- 2Gb堆叠器件（两个1Gb裸片）
- 单级单元（SLC）工艺技术
- 电源电压：VCC = 2.7 - 3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ = 1.65 - VCC（I/O缓冲器）
- 异步随机/页读取
- 页大小：16字
- 页访问：20ns（VCC = VCCQ = 2.7 - 3.6V）
- 随机访问：105ns（VCC = VCCQ = 2.7 - 3.6V）；110ns（VCCQ = 1.65 - VCC）
- 缓冲编程（512字编程缓冲器）
- 使用全缓冲编程时为2.0MB/s（典型值）
- 使用加速缓冲编程（VHH）时为2.5MB/s（典型值）
- 字编程：每字25μs（典型值）
- 块擦除（128KB）：0.2s（典型值）
- 内存组织：统一块，每个128KB或64KW
- x16数据总线
- 编程/擦除暂停和恢复功能
- 在编程暂停操作期间从另一个块读取
- 在擦除暂停操作期间读取或编程另一个块
- 解锁旁路、块擦除、裸片擦除和写入缓冲器功能
- 空白检查操作以验证擦除块
- 循环冗余校验（CRC）操作以验证编程模式
- VPP/WP#保护
- 无论块保护设置如何，保护第一个或最后一个块
- 软件保护：易失性保护、非易失性保护、密码保护
- 扩展内存块：512字块用于永久、安全识别，可在工厂或由客户编程或锁定
- 符合JESD47标准：每个块100,000（最小）擦除周期，数据保留20年（典型值）
- 封装：64球LBGA，11mm×13mm（PC），符合RoHS标准、无卤封装，汽车工作温度，环境温度-40°C至105°C
- MT28FW02GBBA1LPC-0AAT TR
- AS7C316096C-10TINTR
- AS7C316096B-10TINTR
- AS7C316098A-10TINTR
- AS4C1G8MD3L-12BCNTR
- 71V67903S85BG8
- IS61NLP102418B-250B3L-TR
- 71V67903S75BG8
- IS61WV20488BLL-10MLI-TR
- 71V67903S80BG8
- IS62WV20488BLL-25TLI-TR
- IS62WV20488BLL-25MLI-TR
- IS61WV102416BLL-10MLI-TR
- 71V67803S150BG8
- IS61WV20488BLL-10TLI-TR
- AS7C316096B-10BINTR
- AS7C316098B-10TINTR
- IS61WV51232BLL-10BLI-TR
- IS62WV102416BLL-25MLI-TR
- AS7C351232-10BINTR
- IS61WV102416BLL-10TLI-TR