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IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR
IS62WVS2568FBLL 20NLI TR
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- 描述
- IS62/65WVS2568FALLFBLL是2M位的串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为256K字节×8位。它采用高性能CMOS技术制造。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR
- 商品编号
- C2063954
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 4uA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | SRAM - 同步，SDR |
| 存储器格式 | SRAM |
| 时钟频率 | 20MHz |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 存储容量 | 2Mb（256K x 8） |
| 写周期时间-字，页 | - |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | SPI - 四 I/O，SDI，DTR |
| 电压-供电 | 2.2V ~ 3.6V |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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