IS62WV102416EBLL-45BLI-TR
IS62WV102416EBLL 45BLI TR
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是低功耗、16M位静态随机存取存储器,组织为1024K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,产生了高性能和低功耗的器件。当CS1为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)或CS1为低电平、CS2为高电平且LB和UB均为高电平时,器件进入待机模式,此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过使用芯片使能和输出使能输入可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能 (WE) 控制存储器的读写。数据字节允许访问上字节 (UB) 和下字节 (LB)。采用JEDEC标准48引脚BGA (6mm x 8mm) 封装。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WV102416EBLL-45BLI-TR
- 商品编号
- C2064146
- 商品封装
- VFBGA-48(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 45ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 12mA | |
| 待机电流 | 65uA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 48-VFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 48-VFBGA(6x8) |
| 存储容量 | 16Mb(1M x 16) |
| 写周期时间-字,页 | 45ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 45ns |
| 电压-供电 | 2.2V ~ 3.6V |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐
- IS62WV102416GBLL-45TLI-TR
- IS62WV20488FBLL-45BLI-TR
- IS61WV51216EEBLL-10TLI
- IS61NLP12832A-200TQLI-TR
- IS61NLF25618A-7.5TQLI-TR
- IS61C64AL-10TLI-TR
- IS65WV12816BLL-55BLA3-TR
- IS64C25616AL-12CTLA3-TR
- IS61LF12836A-7.5TQLI-TR
- IS61LPS12836EC-200B3LI-TR
- IS64WV25616BLL-10BLA3-TR
- IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR
- IS61NLP25618A-200TQLI-TR
- IS61NLF12836A-7.5TQLI-TR
- IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR
- IS61LPD25636A-200TQLI-TR
- IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR
- IS61LF51236B-7.5B3LI-TR
- IS61NVF51236B-6.5TQL-TR
- IS61NVP51236B-200B3LI-TR
- IS61NVP25636A-200TQLI-TR

