IS66WV51216EBLL-70TLI-TR
IS66WV51216EBLL 70TLI TR
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- 描述
- 是高速8M位静态随机存取存储器,组织为512K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入,可以轻松进行内存扩展。低电平有效写使能(WE#)控制存储器的读写。数据字节允许进行高字节(UB#)和低字节(LB#)访问。采用JEDEC标准的48球微型BGA(6mm x 8mm)和44引脚TSOP(II型)封装。也提供裸片销售。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS66WV51216EBLL-70TLI-TR
- 商品编号
- C2063118
- 商品封装
- TSOP-44-10.2mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.5V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 130uA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 | PSRAM(伪 SRAM) |
| 存储器格式 | PSRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 存储容量 | 8Mb(512K x 16) |
| 写周期时间-字,页 | 70ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 70ns |
| 电压-供电 | 2.5V ~ 3.6V |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
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