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IS66WV51216EBLL-70TLI-TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS66WV51216EBLL-70TLI-TR

IS66WV51216EBLL 70TLI TR

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描述
是高速8M位静态随机存取存储器,组织为512K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平(未选中)或CS2为低电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入,可以轻松进行内存扩展。低电平有效写使能(WE#)控制存储器的读写。数据字节允许进行高字节(UB#)和低字节(LB#)访问。采用JEDEC标准的48球微型BGA(6mm x 8mm)和44引脚TSOP(II型)封装。也提供裸片销售。
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS66WV51216EBLL-70TLI-TR
商品编号
C2063118
商品封装
TSOP-44-10.2mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量8Mbit
工作电压2.5V~3.6V
属性参数值
读写时间70ns
工作温度-40℃~+85℃
待机电流130uA
安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
技术PSRAM(伪 SRAM)
存储器格式PSRAM
供应商器件封装44-TSOP II
存储容量8Mb(512K x 16)
写周期时间-字,页70ns
存储器类型易失
存储器接口并联
访问时间70ns
电压-供电2.5V ~ 3.6V

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1000个/圆盘

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