CY15B016Q-SXET

CY15B016Q SXET

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY15B016Q-SXET
商品编号: C2063128
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

CY15B016Q是一款采用先进铁电工艺的16K位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能可靠地保留数据达121年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15B016Q以总线速度执行写操作，无写入延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写入耐久性。CY15B016Q能够支持10¹³次读写循环，比EEPROM多1000万次写入循环。这些特性使CY15B016Q非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（写入循环次数可能至关重要）以及要求苛刻的工业控制（串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。CY15B016Q作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著优势。它采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该器件的规格在-40°C至+125°C的汽车级温度范围内得到保证。

商品特性

16K位铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑上组织为2K×8
高耐久性，10万亿（10¹³）次读写
121年数据保留
NoDelay™写入
先进的高可靠性铁电工艺
非常快速的串行外设接口（SPI）
最高16MHz频率
可直接硬件替代串行闪存和EEPROM
支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
复杂的写保护方案：使用写保护（WP）引脚进行硬件保护；使用写禁止指令进行软件保护；对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
低功耗：1MHz时300μA工作电流；20μA（典型值）待机电流
低电压操作：VDD = 3.0V至3.6V
汽车级温度范围：-40°C至+125°C
8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
符合AEC Q100 1级标准
符合有害物质限制（RoHS）标准

应用领域

数据收集
工业控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)
	接口类型	SPI
	存储容量	16Kbit
	工作电压	2.7V~3.65V

	属性	参数值
	时钟频率(fc)	16MHz
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	工作状态指示