NDL28PFR-8KIT
2Gb (x8) DDR3/DDR3L 同步动态随机存取存储器
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- 品牌名称
- Insignis
- 商品型号
- NDL28PFR-8KIT
- 商品编号
- C20193943
- 商品封装
- FBGA-78(7.5x10.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接 |
商品概述
2Gb双倍数据速率3（DDR3L）DRAM采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。它内部配置为八存储体DRAM。2Gb芯片组织为32Mbit x 8个I/O x 8存储体器件。这些同步器件在一般应用中可实现高达1866Mb/秒/引脚的高速双倍数据速率传输。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM关键特性，包括与DDR3完全向后兼容。所有控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK#下降）锁存。所有I/O以源同步方式与差分DQS对同步。这些器件使用单一的+1.35V -0.067V / +0.1V电源供电，并提供BGA封装。DDR3L SDRAM是一种高速动态随机存取存储器，内部配置为八存储体DRAM。它采用8n预取架构以实现高速运行。8n预取架构与接口相结合，旨在每个时钟周期在I/O引脚传输两个数据字。对DDR3L SDRAM的读写操作是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程序列连续进行长度为八的突发或长度为四的“截断”突发。操作从激活命令的注册开始，随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要激活的存储体和行（BA0 - BA2选择存储体；A0 - A14选择行）。与读或写命令同时注册的地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过A10），并在模式寄存器启用的情况下“即时”选择BC4或BL8模式（通过A12）。在正常操作之前，DDR3L SDRAM必须以预定义的方式上电并初始化。
商品特性
- 符合JEDEC标准
- 电源：VDD和VDDQ = +1.35V
- 向后兼容VDD和VDDQ = +1.5V ± 0.075V
- 工作温度范围：
- 扩展测试（ET）：Tc = 0 ~ 95°C
- 工业级（IT）：Tc = -40 ~ 95°C
- 汽车级（AT）：Tc = -40 ~ 105°C
- 支持JEDEC时钟抖动规范
- 全同步操作
- 快速时钟速率：800/933MHz
- 差分时钟，CK和CK#
- 双向差分数据选通
- DQS和DQS#
- 8个内部存储体用于并发操作
- 8n位预取架构
- 流水线内部架构
- 预充电和主动掉电
- 可编程模式和扩展模式寄存器
- 附加延迟（AL）：0、CL - 1、CL - 2
- 可编程突发长度：4、8
- 突发类型：顺序/交错
- 输出驱动器阻抗控制
- 平均刷新周期：
- 8192周期/64ms（在 -40°C ≤ Tc ≤ +85°C时为7.8us）
- 8192周期/32ms（在 +85°C ≤ TC ≤ +95°C时为3.9us）
- 8192周期/16ms（在 +95°C ≤ Tc ≤ +105°C时为1.95us）
- 写电平调整
- ZQ校准
- 动态片上终端（Rtt_Nom和Rtt_WR）
- 符合RoHS标准
- 自动刷新和自刷新
- 78球7.5×10.5×1.0mm FBGA封装
- 无铅和无卤素