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TSB712IDT

高精度6 MHz - RRIO - 36 V BiCMOS运算放大器

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描述
高精度6 Mhz - RR IO - 36 V BiCMOS运算放大器
商品型号
TSB712IDT
商品编号
C2058811
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.244克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录运算放大器
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)6MHz
输入失调电压(Vos)1.2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)1.4mV/℃
压摆率(SR)3V/us
输入偏置电流(Ib)300nA
属性参数值
输入失调电流(Ios)10nA
噪声密度(eN)12nV/√Hz@10kHz
共模抑制比(CMRR)120dB
输入失调电流温漂(Ios TC)-
静态电流(Iq)1.8mA
输出电流50mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.7V~36V
双电源(Vee~Vcc)-18V~-1.35V;1.35V~18V

商品概述

6 MHz带宽放大器具备轨到轨输入和输出特性,保证能在+2.7 V至+36 V单电源以及±1.35 V至±18 V双电源下工作。 这些放大器的优势在于提供了宽范围的电源电压,且在25 ℃时最大输入失调电压仅为300 μV。 宽带宽、压摆率、低噪声、轨到轨能力和高精度的结合,使其在多种应用中发挥作用,例如:滤波器、电源和电机控制、执行器驱动、霍尔效应传感器和电阻式传感器。

商品特性

  • 轨到轨输入和输出
  • 低失调电压:最大300 μV
  • 宽电源电压范围:2.7 V至36 V
  • 增益带宽积:6 MHz
  • 压摆率:3 V/μs
  • 低噪声:12 nV/√Hz
  • 集成EMI滤波器
  • 2 kV HBM ESD耐受能力
  • 扩展温度范围:-40 ℃至+125 ℃
  • 提供汽车级产品

应用领域

  • 高端和低端电流检测
  • 霍尔效应传感器
  • 数据采集与仪器仪表
  • 测试与测量设备
  • 电机控制
  • 工业过程控制
  • 应变计

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
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