SQJ412EP-T1_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:32A
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描述
N沟道,40V,32A,8.5mΩ@10V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SQJ412EP-T1_GE3商品编号
C213493商品封装
PowerPAK-SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.232克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 32A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.1mΩ@10V,10.3A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 83W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 120nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.95nF@20V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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