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ATTINY13V-10SSUR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATTINY13V-10SSUR

高性能、低功耗AVR 8位微控制器

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描述
ATtiny13是基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,ATtiny13实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构具有更高的代码效率,同时实现了比传统CISC微控制器快达十倍的吞吐量。ATtiny13具有以下特性:1K字节的系统内可编程闪存、64字节EEPROM、64字节SRAM、6个通用I/O线、32个通用工作寄存器、一个具有比较模式的8位定时器/计数器、内部和外部中断、一个4通道10位ADC、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及三种软件可选的省电模式
商品型号
ATTINY13V-10SSUR
商品编号
C2053120
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.98克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核AVR
CPU最大主频10MHz
CPU位数8 Bit
程序存储容量1KB
程序存储器类型FLASH
RAM容量64Byte
属性参数值
EEPROM容量64Byte
I/O数量6
ADC(位数)10bit
振荡器类型内置
工作电压1.8V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃

商品特性

  • 高性能、低功耗的AVR 8位微控制器
  • 先进的RISC架构 - 120条强大指令 - 大多数单时钟周期执行 - 32x8通用工作寄存器 - 完全静态操作 - 在20 MHz下最高可达20 MIPS的吞吐量
  • 高耐久非易失性存储器段 - 1K字节的在系统自编程Flash程序存储器 - 64字节EEPROM - 64字节内部SRAM - 写/擦除次数:10,000次Flash/100,000次EEPROM - 数据保持:85℃下20年/25℃下100年(见第6页) - 自编程Flash的编程锁 EEPROM数据安全
  • 外设特性 - 一个带预分频器和两个PwM通道的8位定时器/计数器 - 4通道、10位ADC,带有内部电压参考 - 带独立片上振荡器的可编程看门狗定时器 - 片上模拟比较器
  • 特殊微控制器特性 - debugwIRE片上调试系统 - 通过SPI端口进行在系统编程 - 外部和内部中断源 - 低功耗空闲模式、ADC降噪模式和掉电模式 - 增强型上电复位电路 - 可编程掉电检测电路 - 内部校准振荡器
  • I/O和封装 - 8引脚PDIP/SOIC:六个可编程I/O线 - 20焊盘MLF:六个可编程I/O线
  • 工作电压: - ATtiny13V:1.8 - 5.5V - ATtiny13:2.7 - 5.5V
  • 速度等级 - ATtiny13V:0 - 4 MHz @ 1.8 - 5.5V,0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V - ATtiny13:0 - 10 MHz @ 2.7 - 5.5V,0 - 20 MHz @ 4.5 - 5.5V
  • 工业温度范围
  • 低功耗 - 活动模式:- 1 MHz,1.8V:240 μA - 掉电模式:- 1.8V下<0.1 μA

数据手册PDF