ATSAML10E16A-MUT

具备TrustZone、加密功能和增强型PTC的超低功耗32位Cortex-M23微控制器

描述

特性：工作条件：1.62V 至 3.63V，-40℃ 至 +125℃，DC 至 32 MHz。 内核：32 MHz（2.64 CoreMark/MHz 和高达 31 DMIPS）Arm Cortex-M23，具备单周期硬件乘法器、硬件除法器、嵌套向量中断控制器 (NVIC)、内存保护单元 (MPU)、堆栈限制检查、TrustZone® for ARMv8-M（可选）。 系统：具备上电复位 (POR) 和可编程欠压检测 (BOD)、8 通道直接内存访问控制器 (DMAC)、8 通道事件系统用于外设间独立于内核的操作、CRC-32 生成器。 内存：16/32/64-KB Flash、4/8/16-KB SRAM、2-KB 数据闪存读写同步 (WWR) 部分用于非易失性数据存储、256 字节具备物理保护功能的 TrustRAM。 时钟管理：灵活的时钟分配，针对低功耗进行优化，具备 32.768 kHz 晶体振荡器、32.768 kHz 超低功耗内部 RC 振荡器、0.4 至 32 MHz 晶体振荡器、16/12/8/4 MHz 低功耗内部 RC 振荡器、超低功耗数字锁相环 (DFLLULP)、32-96 MHz 分数数字锁相环 (FDPLL96M)、一个频率计。 低功耗和电源管理：具备活动、空闲、带部分或全部 SRAM 保留的待机和关机睡眠模式；活动模式 (<25 μA/MHz)；空闲模式 (<10 μA/MHz)，唤醒时间 1.5 μs；带全 SRAM 保留的待机模式 (0.5 μA)，唤醒时间 5.3 μs；关机模式 (<100 nA)；静态和动态电源门控架构；睡眠行走外设；两个性能级别；嵌入式降压/低压差 (LDO) 稳压器，可实时选择。 安全：多达四个用于静态和动态入侵检测的数据闪存防篡改引脚；针对安全存储进行优化；具备用户定义密钥的地址和数据加扰（可选）；对加扰密钥和一个用户定义行进行快速防篡改擦除；用于数据读取降噪的静默访问。 TrustRAM：具备用户定义密钥的地址和数据加扰；对物理 RAM 进行芯片级防篡改检测以抵抗微探测攻击；对加扰密钥和 RAM 数据进行快速防篡改擦除；用于数据读取降噪的静默访问；防止数据残留

品牌名称

MICROCHIP(美国微芯)

商品型号

ATSAML10E16A-MUT

商品编号

C2053058

商品封装

VQFN-32-EP(5x5)​

包装方式

编带

商品毛重

0.48克(g)