立创商城logo
购物车0
DTD513ZE3TL实物图
  • DTD513ZE3TL商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DTD513ZE3TL

低VcE(sat)内置电阻数字晶体管,适用于逆变器、接口和驱动器

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
DTD513ZE3TL
商品编号
C20108246
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)12V
集电极电流(Ic)500mA
耗散功率(Pd)150mW
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)140
射基极击穿电压(Vebo)-
最小输入电压(VI(on))2.5V@20mA,0.3V
属性参数值
最大输入电压(VI(off))300mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))300mV@100mA,5mA
输入电阻1kΩ
电阻比率10
工作温度-
集射极饱和电压(VCE(sat))-
特征频率(fT)260MHz
集电极截止电流(Icbo)-

商品特性

  • VCE(sat)低于传统产品。
  • 内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。
  • 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
  • 操作时只需设置开/关条件,使设备设计变得简单。

应用领域

反相器、接口、驱动器

数据手册PDF