- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DTD543ZE3TL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 140 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2.5V@20mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@100mA,5mA | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 电阻比率 | 12 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 260MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 与传统产品相比，VCE(sat)更低。
- 内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路（参见等效电路）。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，还几乎能完全消除寄生效应。
- 只需设置开/关条件即可操作，便于器件设计。
应用领域
- 反相器
- 接口
- 驱动器