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BD3539FVM-TR

1A 5.5V

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描述: BD3539 是一种符合 JEDEC 对 DDR1-SDRAM、DDR2-SDRAM 和 DDR3-SDRAM 要求的终端稳压器。这种线性电源使用内置的 N 通道 MOSFET 和专门设计的高速运算放大器，以提供出色的瞬态响应。它具有高达 1A 的灌/拉电流能力，并且需要 3.3V（适用于 DDR2 和 DDR3）和 5.0V（适用于 DDR1、DDR2 和 DDR3）的电源偏置来驱动 N 通道 MOSFET。通过采用独立的参考电压输入（VDDQ）和反馈引脚（VTTS），该终端稳压器提供了符合 JEDEC 标准要求的出色的输出电压精度和负载调节性能。此外，BD3539 还具有用于 DDR-SDRAM 或内存控制器的参考电源输出（VREF）。与变为“高阻”状态的 VTT 输出不同，当 EN 输入变为“低”时，VREF 输出保持不变，这使得该 IC 适合于 DDR-SDRAM 处于“自刷新”状态时使用。
品牌名称: ROHM(罗姆)
商品型号: BD3539FVM-TR
商品编号: C213437
商品封装: MSOP-8-2.8mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028克(g)

商品参数

商品概述

BD3539是一款端接稳压器，符合JEDEC对DDR1 - SDRAM、DDR2 - SDRAM和DDR3 - SDRAM的要求。这款线性电源采用内置N沟道MOSFET和专门设计的高速运算放大器，可提供出色的瞬态响应。它的灌/拉电流能力高达1A，驱动N沟道MOSFET时的电源偏置要求为3.3V（适用于DDR2和DDR3）和5.0V（适用于DDR1、DDR2和DDR3）。通过采用独立的参考电压输入（VDDQ）和反馈引脚（VTTS），这款端接稳压器可提供JEDEC标准要求的出色输出电压精度和负载调整率。此外，BD3539还具备用于DDR - SDRAM或内存控制器的参考电源输出（VREF）。与进入“高阻态”的VTT输出不同，当EN输入变为“低电平”时，VREF输出保持不变，这使得该IC适用于处于“自刷新”状态的DDR - SDRAM。

商品特性

集成用于端接的推挽式电源（VTT）
集成参考电压电路（VREF）
集成使能器
集成欠压锁定（UVLO）
集成热关断保护器（TSD）
与双通道（DDR1、DDR2、DDR3）兼容
输出端可使用陶瓷电容

应用领域

DDR 1/2/3 - SDRAM电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	线性稳压器(LDO)
	工作电压	5.5V
	输出电流	1A
	静态电流(Iq)	2mA

	属性	参数值
	特性	带使能；欠压锁定；热关断
	工作温度	-30℃~+100℃
	输出极性	正极
	输出通道数	1