MFT10N70P56
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 405pF |
商品特性
- 工作温度:-55 ~ +150°C
- VGS = 10 V时,RDS(ON) = 7.2 mΩ
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 10.5 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 改善的dv/dt能力