MFT6N4A0S223
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 126mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
内置栅极电阻的双N沟道MOSFET 用于锂离子二次电池保护电路
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 2 A时,RDS(ON) < 102 mΩ
- 当VGS = 4.5 V、ID = 1 A时,RDS(ON) < 126 mΩ
- 采用高密单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 坚固耐用的结构设计
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 电池供电系统