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MX25V80066ZUI02引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25V80066ZUI02

2.3V - 3.6V 8M - BIT CMOS 串行多 I/O 闪存

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品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25V80066ZUI02
商品编号
C20099963
商品封装
USON-8(2x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.065克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量8Mbit
时钟频率(fc)80MHz
工作电压2.3V~3.6V
待机电流2uA
擦写寿命100000次
属性参数值
写周期时间(Tw)5ms
页写入时间(Tpp)730us
块擦除时间(tBE)620ms@(64KB)
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

MX25V80066是一款8Mb串行NOR闪存,内部配置为1,048,576 x 8。它采用串行外设接口和软件协议,在单I/O模式下支持简单的三线总线操作。三条总线信号是时钟输入、串行数据输入和串行数据输出。CS#输入使能对器件的串行访问。当处于双I/O读取模式时,SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚,用于地址/虚位输入和数据输出。该器件支持全芯片的顺序读取操作。发出编程/擦除命令后,将执行自动编程/擦除算法,对指定的页或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。编程命令可按字节、页或字执行。擦除命令可按4K字节扇区、32KB块、64K字节块或整个芯片执行。状态寄存器用于指示芯片状态。状态读取命令可通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。高级安全功能增强了保护和安全性。该器件采用专有的存储单元,在典型的100,000次编程和擦除周期后仍能可靠存储内容。

商品特性

  • 支持串行外设接口模式0和模式3
  • 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位结构
  • 每个扇区4K字节,每个块32K字节或64K字节,可单独擦除任何块
  • 单电源操作,工作电压为2.3V至3.6V
  • 高性能:快速读取,单I/O模式80MHz,双I/O模式80MHz
  • 快速编程和擦除时间,低功耗
  • 典型100,000次擦除/编程周期,20年数据保留
  • 软件特性:1字节命令码,块锁定保护,自动擦除和编程算法,状态寄存器功能,电子识别
  • 支持串行闪存可发现参数模式,支持ID
  • 硬件特性:SCLK时钟输入,SI/SIO0和SO/SIO1数据引脚,WP#硬件写保护
  • 封装类型:8引脚SOP,8焊盘USON,8焊盘WSON
  • 所有器件符合RoHS标准且无卤素

数据手册PDF