MX25V80066ZUI02
2.3V - 3.6V 8M - BIT CMOS 串行多 I/O 闪存
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25V80066ZUI02
- 商品编号
- C20099963
- 商品封装
- USON-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 80MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 页写入时间(Tpp) | 730us | |
| 块擦除时间(tBE) | 620ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
MX25V80066是一款8Mb串行NOR闪存,内部配置为1,048,576 x 8。它采用串行外设接口和软件协议,在单I/O模式下支持简单的三线总线操作。三条总线信号是时钟输入、串行数据输入和串行数据输出。CS#输入使能对器件的串行访问。当处于双I/O读取模式时,SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚,用于地址/虚位输入和数据输出。该器件支持全芯片的顺序读取操作。发出编程/擦除命令后,将执行自动编程/擦除算法,对指定的页或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。编程命令可按字节、页或字执行。擦除命令可按4K字节扇区、32KB块、64K字节块或整个芯片执行。状态寄存器用于指示芯片状态。状态读取命令可通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。高级安全功能增强了保护和安全性。该器件采用专有的存储单元,在典型的100,000次编程和擦除周期后仍能可靠存储内容。
商品特性
- 支持串行外设接口模式0和模式3
- 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位结构
- 每个扇区4K字节,每个块32K字节或64K字节,可单独擦除任何块
- 单电源操作,工作电压为2.3V至3.6V
- 高性能:快速读取,单I/O模式80MHz,双I/O模式80MHz
- 快速编程和擦除时间,低功耗
- 典型100,000次擦除/编程周期,20年数据保留
- 软件特性:1字节命令码,块锁定保护,自动擦除和编程算法,状态寄存器功能,电子识别
- 支持串行闪存可发现参数模式,支持ID
- 硬件特性:SCLK时钟输入,SI/SIO0和SO/SIO1数据引脚,WP#硬件写保护
- 封装类型:8引脚SOP,8焊盘USON,8焊盘WSON
- 所有器件符合RoHS标准且无卤素
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