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MX25V80066ZUI02

2.3V - 3.6V 8M - BIT CMOS 串行多 I/O 闪存

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品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25V80066ZUI02
商品编号: C20099963
商品封装: USON-8(2x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.065克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	5ms
	页写入时间(Tpp)	730us
	块擦除时间(tBE)	620ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

MX25V80066是8Mb的串行NOR闪存，内部配置为1,048,576 x 8。它具有串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的三线总线上运行，三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO），通过CS#输入实现对设备的串行访问。在双I/O读取模式下，SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。MX25V80066的MXSMIO®（串行多I/O）可在整个芯片上进行顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，将执行自动编程/擦除算法对指定页面或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。编程命令可按字节、页面（256字节）或字执行，擦除命令可按4K字节扇区、32KB块（32K字节）、64K字节块或整个芯片执行。为方便用户接口，包含一个状态寄存器来指示芯片状态，可通过状态读取命令通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。高级安全功能增强了保护和安全功能。MX25V80066采用旺宏电子的专有存储单元，即使经过约100,000次编程和擦除循环，仍能可靠存储内存内容。

商品特性

支持串行外设接口模式0和模式3
具有8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双输出模式）结构
具有4K字节的等扇区、32K字节的等块或64K字节的等块，任何块都可单独擦除
单电源供电
读、擦除和编程操作的工作电压为2.3V - 3.6V
从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
高性能，快速读取，1 I/O模式下80MHz并带有8个虚拟周期，1I/2O模式下80MHz并带有8个虚拟周期，相当于160MHz
快速编程和擦除时间
低功耗
典型的100,000次擦除/编程循环
20年数据保留
输入数据格式为1字节命令代码
具有高级安全功能，包括块锁定保护，BP0 - BP3状态位定义软件保护区域大小以防止编程和擦除指令
自动擦除和自动编程算法，可自动擦除和验证所选扇区或块的数据，通过内部算法自动编程和验证所选页面的数据
状态寄存器功能
电子识别，包括JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID，RES命令用于获取1字节设备ID，REMS命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
支持唯一ID
SCLK为串行时钟输入
SI/SI00为串行数据输入或2 x I/O读取模式下的串行数据输入/输出
SO/SIO1为串行数据输出或2 x I/O读取模式下的串行数据输入/输出
WP#为硬件写保护
封装形式有8引脚SOP（150mil）、8引脚SOP（200mil）、8焊盘USON（2x3mm）、8焊盘WSON（6x5mm）
所有器件均符合RoHS标准且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	8Mbit
	时钟频率(fc)	80MHz
	工作电压	2.3V~3.6V
	待机电流	2uA
	擦写寿命	100000次