- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MX25V8035FZUI03
2.3V - 3.6V 8M 位 CMOS 串行多 I/O 闪存存储器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25V8035FZUI03
- 商品编号
- C20099965
- 商品封装
- USON-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 工作电压 | 2.3V~3.6V | |
| 待机电流 | 9uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 3.6ms | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 支持串行外设接口模式0和模式3
- 存储结构为8388608乘1位，或4194304乘2位，或2097152乘4位
- 每个扇区4K字节，每个块32K或64K字节，可单独擦除任何块
- 单电源操作，工作电压范围为2.3V至3.6V，适用于读取、擦除和编程操作
- 闩锁保护能力达100毫安，电压范围从-1伏至Vcc加1伏
- 高性能读取：单I/O模式108兆赫兹带8个虚拟周期；双I/O模式104兆赫兹带4个虚拟周期，等效208兆赫兹；四I/O模式104兆赫兹带2加4个虚拟周期
- MX25V8035FZUJ
- MX29F016TC-90
- MX29F040QC-90
- MX29F800CBTJ-70Q
- MX29GL512GDT2I-11Q
- MX29GL512GDXFI-11Q
- MX29GL512GHT2I-10Q
- MX29GL512GHXFI-10Q
- MX29GL512GLT2I-10Q
- MX29GL512GLXFI-10Q
- MX29GL512GUT2I-11Q
- MX29GL512GUXFI-11Q
- MX29GL640EHTI-70G
- MX29LV400BTI-70
- MX60UF8G18AC-XKJ
- MX66L1G45GMJ-08G
- MX66U1G45GXDI54
- MX66U1G45GXDJ54
- MX66U2G45GXRI54
- MX66U2G45GXRJ00
- MX66UM2G45GXRI00
- MX25V8035FZUJ
- MX29F016TC-90
- MX29F040QC-90
- MX29F800CBTJ-70Q
- MX29GL512GDT2I-11Q
- MX29GL512GDXFI-11Q
- MX29GL512GHT2I-10Q
- MX29GL512GHXFI-10Q
- MX29GL512GLT2I-10Q
- MX29GL512GLXFI-10Q
- MX29GL512GUT2I-11Q
- MX29GL512GUXFI-11Q
- MX29GL640EHTI-70G
- MX29LV400BTI-70
- MX30LF2G18AC-TJ
- MX30LF2G18AC-XKJ
- MX30LF4G28AC-TI
- MX30UF4G18AC-XKJ
- MX30UF4G28AD-TI
- MX35LF4G24AD-Z4I
- MX35LF4GE4AD-XDI