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SCT3160KLGC11

N沟道SiC功率MOSFET

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描述
N沟道,1200V,17A,160mΩ@18V
品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
SCT3160KLGC11
商品编号
C191060
商品封装
TO-247AC-3​
包装方式
管装
商品毛重
0.02克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)17A
耗散功率(Pd)103W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.6V
栅极电荷量(Qg)42nC
输入电容(Ciss)398pF
反向传输电容(Crss)18pF
输出电容(Coss)41pF
导通电阻(RDS(on))208mΩ

数据手册PDF