商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 325mA | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
商品概述
BeRex BCP080C是一款砷化镓(GaAs)功率赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT),其标称栅极尺寸为0.25微米×800微米,非常适合需要在直流至26.5 GHz频率范围内实现高增益和中功率的应用。该产品可用于宽带(6 - 18 GHz)或窄带应用。
商品特性
- 典型输出功率28.5 dBm
- 在12 GHz时典型增益为11 dB
- 0.25×800微米凹槽栅极
应用领域
-商用-测试与测量