V60DM63CHM3/I
双低压沟槽MOS势垒肖特基整流器
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- V60DM63CHM3/I
- 商品编号
- C20039121
- 商品封装
- TO-263AC
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1对共阴极 | |
| 正向压降(Vf) | 700mV@30A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 30A | |
| 反向电流(Ir) | 55uA@60V | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 320A |
商品概述
双低压TMBS（沟槽MOS势垒肖特基）整流器，在IF = 5.0 A时，超低压VF = 0.35 V，属于eSMP系列SMPD（TO - 263AC）封装。
商品特性
- 采用沟槽MOS肖特基技术
- 外形非常低矮，典型高度为1.7 mm
- 适合自动贴装
- 正向压降小，功率损耗低，运行效率高
- 符合J - STD - 020标准的MSL 1级，LF最大峰值温度为260°C
- 有符合AEC - Q101标准的产品可供选择：
- 汽车级订购代码：基础型号为P/N HM3
应用领域
用于商业、工业和汽车应用中的高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、或二极管以及反接电池保护。