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75N75L-TA3-T
1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
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- 描述
- N沟道,75V,80A,11mΩ@10V
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 75N75L-TA3-T
- 商品编号
- C190826
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 440nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 773pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），还能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 12 A，60 V。在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.15 Ω
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 采用高性能技术实现低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- TO - 252
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