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IRFP460LCPBF

1个N沟道耐压:500V 电流:20A

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描述: N沟道,500V,20A,0.27Ω@10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFP460LCPBF
商品编号: C212024
商品封装: TO-247AC-3
包装方式: 管装
商品毛重: 6.076克(g)

商品参数

商品概述

这款新型低电荷功率MOSFET与传统MOSFET相比，显著降低了栅极电荷。该器件采用先进的功率MOSFET技术，降低了栅极驱动要求，提高了开关速度，并提升了整个系统的经济性。这些改进结合功率MOSFET久经考验的耐用性和可靠性，为设计人员提供了适用于开关应用的新型功率晶体管标准。 TO - 247封装适用于商用和工业应用，在高功率水平下，TO - 220器件无法满足要求。TO - 247与早期的TO - 218封装类似，但更优，因其安装孔为绝缘设计。

商品特性

~~- 超低栅极电荷-降低栅极驱动要求-增强30V VGS额定值-降低Ciss、Coss、Crss-中央安装孔绝缘-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-提供无铅产品

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	20A
	导通电阻(RDS(on))	270mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3.5W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	120nC@10V
	输入电容(Ciss)	440pF
	反向传输电容(Crss)	39pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	3.6nF