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IRFP1405PBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:160A
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- 描述
- N沟道,Vdss=50V,Ic=95A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFP1405PBF
- 商品编号
- C212022
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.31nF |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温下进行重复雪崩
- 无铅
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