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商品参数
参数完善中
商品概述
BIDD05N60T绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合了MOS栅极和双极晶体管的技术，是高压和大电流应用的理想组件。该器件采用沟槽栅场截止技术，能更好地控制动态特性，同时降低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）并减少开关损耗。此外，这种结构提高了器件的稳健性。
商品特性
- 600V、5A、低VCE(sat)
- 新型场截止技术
- 针对传导进行优化
- 稳健
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）