- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BIDNW30N60H3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.78nF | |
| 输出电容(Coes) | 100pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 32pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 67ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.85mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 450uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 28ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BIDNW30N60H3 IGBT 器件结合了 MOS 栅极和双极晶体管的技术，是高压和大电流应用的理想组件。该器件采用沟槽栅场截止技术，能更好地控制动态特性，同时降低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）并减少开关损耗。
商品特性
- 600 V、30 A，低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）
- 先进的沟槽栅场截止技术
- 低开关损耗
- 快速开关
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 感应加热