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商品参数
参数完善中
商品概述
BIDNW30N60H3 IGBT 器件结合了 MOS 栅极和双极晶体管的技术，是高压和大电流应用的理想组件。该器件采用沟槽栅场截止技术，能更好地控制动态特性，同时降低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）并减少开关损耗。
商品特性
- 600 V、30 A，低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)）
- 先进的沟槽栅场截止技术
- 低开关损耗
- 快速开关
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 感应加热