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AMT49107KEVSR-3-T实物图
  • AMT49107KEVSR-3-T商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AMT49107KEVSR-3-T

AMT49107KEVSR-3-T

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商品型号
AMT49107KEVSR-3-T
商品编号
C19762012
商品封装
QFN-48(7x7)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置全桥
负载类型MOSFET
工作电压4.5V~50V
属性参数值
上升时间(tr)110ns
下降时间(tf)47ns
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

AMT49107是一款N沟道功率MOSFET驱动器,能够控制以三相桥形式连接的MOSFET,专为驱动高功率感性负载的汽车应用而设计,如无刷直流(BLDC)电机。 独特的电荷泵稳压器可为MOSFET栅极驱动供电,即使电池电压低至5.5 V也能正常工作,且允许AMT49107在低至4.5 V的降低栅极驱动电压下运行。栅极驱动强度可编程,有助于减少电磁兼容性(EMC)问题。自举电容用于为N沟道MOSFET提供高于电池的电源电压,VCP电荷泵可在任何PWM占空比(最高可达并包括100%)下实现高端栅极驱动开关。 该驱动器可完全控制三相桥中的所有六个功率MOSFET,允许采用方波换相或正弦波激励方式驱动电机。集成的交叉导通控制和可选的可编程死区时间可防止功率MOSFET发生直通现象。 集成诊断功能可指示多种内部故障、系统故障和功率桥故障,并可配置为在大多数短路情况下保护功率MOSFET。对于安全关键系统,可在串行接口的控制下验证集成诊断功能的运行情况。 提供串行接口用于更改可编程设置并读取详细的诊断信息。 AMT49107采用48引脚可焊侧翼QFN封装(后缀EV),带有外露散热焊盘。该封装为无铅(Pb)封装,引脚框架采用100%雾锡电镀。

商品特性

  • 三相桥MOSFET驱动器
  • N沟道MOSFET桥自举栅极驱动
  • 带可调死区时间的交叉导通保护
  • 用于低电源电压运行的电荷泵
  • 可在任何PWM占空比(最高可达并包括100%)下运行
  • 4.5至50 V电源电压工作范围
  • 为外部隔离器供电
  • 兼容SPI的串行接口
  • 通过直接逻辑输入或串行接口进行桥控制
  • 问答(Q&A)和使能看门狗
  • 广泛的可编程诊断功能
  • 诊断验证
  • 安全辅助功能
  • 符合汽车AEC - Q100标准
  • A2 - SIL™产品——适用于安全关键系统的器件特性

数据手册PDF

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