MT61K512M32KPA-14:C
16Gb 2通道x16/x8 GDDR6 SGRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT61K512M32KPA-14:C
- 商品编号
- C19754516
- 商品封装
- FBGA-180(12x14)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | GDDR6 SGRAM | |
| 时钟频率(fc) | 7GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.3095V~1.3905V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；内置锁相环；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.35V ± 3% 和 1.25V ± 3%
- VPP = 1.8V - 3% / +6%
- 数据速率：14Gb/s、16Gb/s
- 2个独立的通道（x16）
- x16/x8和2通道/伪通道（PC）模式配置在复位时设置
- 每个通道的单端接口用于命令/地址（CA）和数据
- 每2个通道的差分时钟输入CK_t/CK_c用于CA
- 每个通道的两个差分时钟输入WCK_t/WCK_c用于数据（DQ、DBI_n、EDC）
- 双倍数据速率（DDR）命令/地址（CK）
- 四倍数据速率（QDR）和双倍数据速率（DDR）数据（WCK），取决于工作频率
- 16n预取架构，每个阵列读写访问256位
- 16个内部存储体
- 4个存储体组，用于tCCDL = 3tCK和4tCK
- 可编程读取延迟
- 可编程写入延迟
- 通过CA总线的写入数据掩码功能，具有单字节和双字节掩码粒度
- 数据总线反相（DBI）和CA总线反相（CABI）
- 输入/输出PLL
- CA总线训练：通过DQ/DBI_n/EDC信号进行CA输入监控
- 通过EDC信号进行带相位信息的WCK2CK时钟训练
- 通过读取FIFO（深度 = 6）进行数据读写训练
- 通过循环冗余校验确保读写数据传输的完整性
- 可编程CRC读取延迟
- 可编程CRC写入延迟
- 可编程EDC保持模式用于CDR
- EDC引脚上的RDQS模式
- 低功耗模式
- 带读出功能的片上温度传感器
- 每次突发访问的自动预充电选项
- 自动刷新模式（32ms，16k周期），具有每个存储体和每2个存储体刷新选项
- 温度传感器控制的自刷新速率
- 数字tRAS锁定
- 所有高速输入的片上终端（ODT）
- 伪开漏（POD135和POD125）兼容输出
- 通过外部电阻ZQ引脚（120Ω）进行ODT和输出驱动器强度自动校准
- 带DFE的数据输入内部VREF，每个引脚的输入接收器特性可编程
- CA输入可选外部或内部VREF；内部VREF可编程VREF偏移
- 用于设备识别的厂商ID
- 符合IEEE 1149.1的边界扫描
- 180球BGA封装
- 无铅（符合RoHS）和无卤封装
- TC = 0°C 至 +95°C