Name: micron(镁光) MT61K512M32KPA-24:U
Brand: micron(镁光)
SKU: C19756397
Price: 145 CNY
Availability: OutOfStock

VDD = VDDQ = 1.35V ± 3% 和 1.25V ± 3%
VPP = 1.8V - 3% / +6%
数据速率：14Gb/s、16Gb/s
2个独立的通道（x16）
x16/x8和2通道/伪通道（PC）模式配置在复位时设置
每个通道的单端接口用于命令/地址（CA）和数据
每2个通道的差分时钟输入CK_t/CK_c用于CA
每个通道的两个差分时钟输入WCK_t/WCK_c用于数据（DQ、DBI_n、EDC）
双倍数据速率（DDR）命令/地址（CK）
四倍数据速率（QDR）和双倍数据速率（DDR）数据（WCK），取决于工作频率
16n预取架构，每个阵列读写访问256位
16个内部存储体
4个存储体组，用于tCCDL = 3tCK和4tCK
可编程读取延迟
可编程写入延迟
通过CA总线的写入数据掩码功能，具有单字节和双字节掩码粒度
数据总线反相（DBI）和CA总线反相（CABI）
输入/输出PLL
CA总线训练：通过DQ/DBI_n/EDC信号进行CA输入监控
通过EDC信号进行带相位信息的WCK2CK时钟训练
通过读取FIFO（深度 = 6）进行数据读写训练
通过循环冗余校验确保读写数据传输的完整性
可编程CRC读取延迟
可编程CRC写入延迟
可编程EDC保持模式用于CDR
EDC引脚上的RDQS模式
低功耗模式
带读出功能的片上温度传感器
每次突发访问的自动预充电选项
自动刷新模式（32ms，16k周期），具有每个存储体和每2个存储体刷新选项
温度传感器控制的自刷新速率
数字tRAS锁定
所有高速输入的片上终端（ODT）
伪开漏（POD135和POD125）兼容输出
通过外部电阻ZQ引脚（120Ω）进行ODT和输出驱动器强度自动校准
带DFE的数据输入内部VREF，每个引脚的输入接收器特性可编程
CA输入可选外部或内部VREF；内部VREF可编程VREF偏移
用于设备识别的厂商ID
符合IEEE 1149.1的边界扫描
180球BGA封装
无铅（符合RoHS）和无卤封装
TC = 0°C 至 +95°C

	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	GDDR6 SGRAM
	时钟频率(fc)	12GHz
	存储容量	16Gbit
	工作电压	1.3095V~1.3905V

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	0℃~+95℃
	功能特性	自动自刷新；CRC功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；内置锁相环；动态片上端接；数据掩码功能

MT61K512M32KPA-24:U

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商品特性

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