Name: micron(美光) MT29F4G08ABBFAH4-IT:F
Brand: micron(美光)
SKU: C19753219
Price: 51.4 CNY
Availability: InStock

符合开放式NAND闪存接口1.0规范
单层单元技术
组织架构：页大小 ×8：4352字节（4096 + 256字节）；块大小：64页；平面数量：1；器件容量：4Gb
异步输入/输出性能：tRC / tWC：30纳秒（1.8V）
阵列性能：启用片上纠错码时读取页：115微秒（最大值）；禁用片上纠错码时读取页：25微秒（最大值）；禁用片上纠错码时编程页：200微秒（典型值）；启用片上纠错码时编程页：240微秒（典型值）；擦除块：2毫秒（典型值）
命令集：ONFI NAND闪存协议
高级命令集：页编程缓存模式；页读取缓存模式；永久块锁定（块47:0）；一次性可编程模式；块锁定；可编程驱动强度；读取标识符；内部数据搬移
操作状态字节提供检测以下情况的软件方法：操作完成；通过/失败状态；写保护状态
就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
写保护信号：写保护整个器件
纠错码：8位内部纠错码默认禁用（可使用设置特性命令切换）
出厂时块7–0带有纠错码有效；关于最低要求的纠错码，请参阅错误管理部分
上电后需要复位命令作为第一条命令
上电后器件初始化的替代方法（请联系工厂）
支持在读取数据的平面内进行内部数据搬移操作
质量和可靠性：耐久性：100,000次编程/擦除循环；数据保持：符合JESD47G标准；详情请参阅鉴定报告；附加：未循环数据保持：10年，24/7 @ 85°C
工作电压范围：VCC：1.7 - 1.95 V
工作温度范围：工业级：-40°C 至 +85°C
封装：63球VFBGA（9毫米 × 11毫米 × 高度1.0毫米）

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	4Gbit
	接口类型	Parallel
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	1.7V~1.95V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	200us

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	10年
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	15uA
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能
	ECC	有

MT29F4G08ABBFAH4-IT:F

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