立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/FPC/SMT工业品面板免费打样
立创商城logo
购物车0
MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G

2Gb x8,x16汽车用NAND闪存

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G
商品编号
C19754310
商品封装
VFBGA-63(9x11)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量2Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压1.7V~1.95V
写周期时间(Tw)20ns
页写入时间(Tpp)30ns
属性参数值
块擦除时间(tBE)2ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+105℃
待机电流100uA
擦写寿命10万次
功能特性硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能
ECC有

商品特性

  • 符合开放NAND闪存接口1.0规范
  • 单层单元技术
  • 组织架构
  • 页大小x8：2176字节（2048 + 128字节）
  • 页大小x16：1088字（1024 + 64字）
  • 块大小：64页（128K + 8K字节）
  • 平面大小：2个平面，每个平面1024个块
  • 器件大小：2Gb：2048个块
  • 异步输入输出性能
  • 读取周期时间/写入周期时间：20纳秒/20纳秒（3.3V）
  • 阵列性能
  • 读取页：70微秒
  • 编程页：220微秒（典型值，3.3V）
  • 擦除块：2毫秒（典型值）
  • 命令集：开放NAND闪存接口NAND闪存协议
  • 高级命令集
  • 编程页缓存模式
  • 读取页缓存模式
  • 永久块锁定（块47:0）
  • 一次性可编程模式
  • 块锁定
  • 可编程驱动强度
  • 读取标识符
  • 内部数据搬移
  • 操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件、写保护状态的软件方法
  • 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
  • 写保护信号：写保护整个器件
  • 纠错码：8位内部纠错码默认禁用，可使用设置特性命令切换
  • 出厂时块7–0在启用纠错码状态下有效
  • 上电后需要复位作为第一条命令
  • 支持在读取数据的平面内进行内部数据搬移操作
  • 质量和可靠性
  • 耐久性：100,000次编程/擦除周期
  • 数据保持：符合JESD47G标准
  • 附加：未循环数据保持：10年，在85℃下持续运行
  • 符合AEC-Q100标准

数据手册PDF

放大查看下载PDF