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FIR12N60FG
1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
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- 描述
- N沟道,650V,13A,0.65Ω(max)@10V
- 品牌名称
- FIRST(福斯特)
- 商品型号
- FIR12N60FG
- 商品编号
- C209276
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
商品概述
FIR12N60FG是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有F-Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。
商品特性
- 12A、600V，RDS(on)（典型值）=0.57Ω@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器