温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FIR20N65AFG
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
- 品牌名称
- FIRST(福斯特)
- 商品型号
- FIR20N65AFG
- 商品编号
- C209275
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 239W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 75 nC（典型值）。
- BVDSS = 650V，ID = 20A
- RDS(on)：0.42Ω（最大值）@VG = 10V
- 经过100%雪崩测试