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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FIR10N60FG

1个N沟道 耐压:600V 电流:10A

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描述
N沟道,600V,10A,0.75Ω(max)@10V
品牌名称
FIRST(福斯特)
商品型号
FIR10N60FG
商品编号
C209274
商品封装
TO-220IS​
包装方式
管装
商品毛重
2.76克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))650mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)130pF

商品概述

FIR10N60FG是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有F-Cell结构VDMOS技术制造。改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

  • 10A、600V,RDS(on)(典型值) = 0.68 Ω @ VGS = 10 V
  • 低栅极电荷
  • 低Crss
  • 快速开关
  • 改进的dv/dt能力

应用领域

  • AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器

数据手册PDF