MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR
8Gb、16Gb x8、x16 NAND闪存
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- 描述
- Micron 8Gb x8 NAND Flash Memory是一款单芯片封装的NAND Flash存储器,支持工业级温度范围(-40°C至+85°C)。该存储器采用SLC技术,具有4320字节的页面大小,256KB + 14KB的块大小,以及2048个块/平面。支持ONFI 1.0协议,具有60,000次编程/擦除周期的耐久性和JESD47G标准的数据保留能力。
- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR
- 商品编号
- C19735637
- 商品封装
- TSOPI-48
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.919克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 6万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;复制回写功能 | |
| ECC | 有 |
商品特性
- 开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0兼容
- 单级单元(SLC)技术
- 组织架构: 页面大小x8: 4320字节(4096 + 224字节); 页面大小x16: 2160字(2048 + 112字); 块大小: 64页(256K + 14K字节); 平面大小: 2个平面 x 每个平面2048块; 设备大小: 8Gb: 4096块; 设备大小: 16Gb: 8192块
- 异步I/O性能: tRC / tWC: 20ns (3.3V), 30ns (1.8V)
- 阵列性能: 读取页面: 25μs; 编程页面: 200μs (典型); 擦除块: 2ms (典型)
- 命令集: ONFI NAND闪存协议
- 高级命令集: 编程页面缓存模式; 读取页面缓存模式; 一次性可编程(OTP)模式; 块锁定(仅1.8V); 可编程驱动强度; 双平面命令; 多芯片(LUN)操作; 读取ID; 内部数据移动
- 操作状态字节提供软件方法用于检测: 操作完成; 通过/失败条件; 写保护状态
- Ready/Busy# (R/B#)信号提供硬件方法检测操作完成
- WP#信号: 写保护整个设备
- 第一个块(块地址00h)在出厂时带有ECC有效。对于最小所需ECC,参见错误管理。
- RESET (FFh)作为上电后第一个命令必需
- 上电后设备初始化的替代方法
- 内部数据移动操作支持在读取数据的平面内
- 质量和可靠性: 数据保留: 符合JESD47G; 参见资格报告; 耐久性: 60,000次编程/擦除循环
- 工作电压范围: VCC: 2.7 - 3.6 V; VCC: 1.7 - 1.95 V
- 工作温度: 商业级: 0°C 至 +70°C; 工业级(IT): -40°C 至 +85°C
- 封装: 48引脚TSOP类型1, CPL2; 63球VFBGA
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