立创商城logo
购物车0
MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR

8Gb、16Gb x8、x16 NAND闪存

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
Micron 8Gb x8 NAND Flash Memory是一款单芯片封装的NAND Flash存储器,支持工业级温度范围(-40°C至+85°C)。该存储器采用SLC技术,具有4320字节的页面大小,256KB + 14KB的块大小,以及2048个块/平面。支持ONFI 1.0协议,具有60,000次编程/擦除周期的耐久性和JESD47G标准的数据保留能力。
品牌名称
micron(美光)
商品型号
MT29F8G08ABACAWP-AIT:C TR
商品编号
C19735637
商品封装
TSOPI-48​
包装方式
编带
商品毛重
0.919克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量8Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)20ns
属性参数值
块擦除时间(tBE)2ms
数据保留 - TDR(年)10年
工作温度-40℃~+85℃
待机电流100uA
擦写寿命6万次
功能特性硬件复位功能;硬件写保护功能;读缓存功能;OTP区域写保护与锁定功能;复制回写功能
ECC

商品特性

  • 开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0兼容
  • 单级单元(SLC)技术
  • 组织架构: 页面大小x8: 4320字节(4096 + 224字节); 页面大小x16: 2160字(2048 + 112字); 块大小: 64页(256K + 14K字节); 平面大小: 2个平面 x 每个平面2048块; 设备大小: 8Gb: 4096块; 设备大小: 16Gb: 8192块
  • 异步I/O性能: tRC / tWC: 20ns (3.3V), 30ns (1.8V)
  • 阵列性能: 读取页面: 25μs; 编程页面: 200μs (典型); 擦除块: 2ms (典型)
  • 命令集: ONFI NAND闪存协议
  • 高级命令集: 编程页面缓存模式; 读取页面缓存模式; 一次性可编程(OTP)模式; 块锁定(仅1.8V); 可编程驱动强度; 双平面命令; 多芯片(LUN)操作; 读取ID; 内部数据移动
  • 操作状态字节提供软件方法用于检测: 操作完成; 通过/失败条件; 写保护状态
  • Ready/Busy# (R/B#)信号提供硬件方法检测操作完成
  • WP#信号: 写保护整个设备
  • 第一个块(块地址00h)在出厂时带有ECC有效。对于最小所需ECC,参见错误管理。
  • RESET (FFh)作为上电后第一个命令必需
  • 上电后设备初始化的替代方法
  • 内部数据移动操作支持在读取数据的平面内
  • 质量和可靠性: 数据保留: 符合JESD47G; 参见资格报告; 耐久性: 60,000次编程/擦除循环
  • 工作电压范围: VCC: 2.7 - 3.6 V; VCC: 1.7 - 1.95 V
  • 工作温度: 商业级: 0°C 至 +70°C; 工业级(IT): -40°C 至 +85°C
  • 封装: 48引脚TSOP类型1, CPL2; 63球VFBGA

数据手册PDF