Name: micron(美光) MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR
Brand: micron(美光)
SKU: C19735723
Price: 104.24 CNY
Availability: OutOfStock

符合开放NAND闪存接口(ONFI) 2.2标准
单级单元(SLC)技术
组织：页大小x8为4320字节（4096 + 224字节）；块大小为128页（512K + 28K字节）；平面大小为2个平面，每个平面2048块；设备大小：16Gb为4096块；32Gb为8192块；64Gb为16384块
同步I/O性能：最高同步时序模式4；时钟速率：12纳秒（DDR）；每引脚读写吞吐量：166 MT/s
异步I/O性能：最高异步时序模式5；tRC/tWC：20纳秒（最小）
阵列性能：读页时间：35微秒（最大）；编程页时间：350微秒（典型）；擦除块时间：1.5毫秒（典型）
工作电压范围：VCC：2.7-3.6伏；VCCO：1.7-1.95伏，2.7-3.6伏
命令集：ONFI NAND闪存协议
高级命令集：程序缓存、顺序读缓存、随机读缓存、一次性可编程(OTP)模式、多平面命令、读ID、复制回
第一块（块地址00h）出厂时有效；上电后需要复位(FFh)作为第一个命令；支持从读取数据的平面内内部数据移动操作
质量和可靠性：耐久性：80,000次编程/擦除周期；数据保留：符合JESD47G标准；未循环数据保留：10年，24/7 @ 85°C；符合AEC-Q100标准

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	1.5ms
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+105℃
	待机电流	-
	擦写寿命	8万次
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；软件复位功能；复制回写功能

MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C TR

商品参数