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SUD50N04-8M8P-E3-VB实物图
SUD50N04-8M8P-E3-VB商品缩略图
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SUD50N04-8M8P-E3-VB

1个N沟道 耐压:40V 电流:85A

    描述
    台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252;N—Channel沟道,40V;85A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V;Vth=1.2~2.5V;
    商品型号
    SUD50N04-8M8P-E3-VB
    商品编号
    C19712542
    商品封装
    TO-252
    包装方式
    编带
    商品毛重
    0.3676克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型1个N沟道
    漏源电压(Vdss)40V
    属性参数值
    连续漏极电流(Id)85A
    导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V
    阈值电压(Vgs(th))-

    数据手册PDF

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