SUD50N04-8M8P-E3-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应晶体管,采用Trench技术,设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252;N—Channel沟道,40V;85A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V;Vth=1.2~2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUD50N04-8M8P-E3-VB
- 商品编号
- C19712542
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3676克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 85A | |
导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
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