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UT6ME5TCR引脚图
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UT6ME5TCR

N沟道+P沟道功率MOSFET,低导通电阻、小尺寸表面贴装封装、无铅电镀、符合RoHS标准、无卤

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
UT6ME5TCR
商品编号
C19674173
商品封装
DFN2020-8D​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2A;1A
导通电阻(RDS(on))650mΩ@10V;159mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.8nC;6.7nC
输入电容(Ciss)90pF;90pF
反向传输电容(Crss)4pF;11pF
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)12pF;25pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低导通电阻
  • 小型表面贴装封装
  • 无铅镀层,符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 开关

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