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IQDH88N06LM5CGATMA1
OptiMOs 5功率晶体管，60 V
- 描述
- 特性：N沟道，逻辑电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- 商品编号
- C19674127
- 商品封装
- TTFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 447A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@163uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.6nF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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