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IKP20N60TA-VB
IKP20N60TA-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；IGBT+FRD配置；TO220；600/650(V)；ICE (A)：20AVCEsat (V)typ：1.7V@ VGE=15V；VGE(±V)：±20V；VGEth(V)：5V；采用SJ技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IKP20N60TA-VB
- 商品编号
- C19632259
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.2nF | |
| 输出电容(Coes) | 91pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 32pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 175ns | |
| 导通损耗(Eon) | 0.00055uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.00039uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 70ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |