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SUP75P05-08-E3-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于电动工具、LED照明和电源逆变器等多个领域和模块。TO220；P—Channel沟道,-60V；-90A；RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUP75P05-08-E3-VB
- 商品编号
- C19632251
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V；9.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 760pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 975pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 表面贴装
- 薄型通孔封装
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 工作温度可达 150 °C
- 快速开关
- 完全雪崩额定
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC