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IRFBC40APBF-VB
1个N沟道 耐压:600V 电流:8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Plannar技术，适用于低频电源转换器、电机驱动器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFBC40APBF-VB
- 商品编号
- C19632232
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET-可承受175°C结温-符合RoHS标准-漏极连接至散热片-N沟道MOSFET
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