我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
QN0406-VB实物图
  • QN0406-VB商品缩略图
  • QN0406-VB商品缩略图
  • QN0406-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

QN0406-VB

1个N沟道 耐压:40V 电流:85A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
QN0406-VB
商品编号
C19632150
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.3826克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)312W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)2.38nF
反向传输电容(Crss)250pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)550pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 9.5折

    购买数量

    (2500个/圆盘，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个2500个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交4单