RJK0631JPD-00-J3-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:58A
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- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型场效应晶体管,采用Trench工艺,具有较低的导通电阻和较高的性能,适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252;N—Channel沟道,60V;58A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RJK0631JPD-00-J3-VB
- 商品编号
- C19632153
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 电源
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