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2301M
P沟道沟槽功率MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS=-20V, ID=-2.3A。 RDS(ON) <148mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) <220mΩ @ VGS = -2.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 2301M
- 商品编号
- C19630733
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@2.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 840mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 348pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品特性
- 漏源电压VDS为 -20 V，漏极电流ID为 -2.3 A
- 当栅源电压VGS为 -4.5 V时，导通状态下的漏源电阻RDS(ON)小于148 mΩ
- 当栅源电压VGS为 -2.5 V时，导通状态下的漏源电阻RDS(ON)小于220 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理