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RC65D160A
RC65D160A
- 描述
- 650V, 160mΩ氮化镓(GaN)FET是常开器件。GaN FET通过较低的栅极电荷、更快的开关速度和较低的动态导通电阻提供更高的效率，比传统硅(Si)器件具有显著优势。
- 品牌名称
- RealChip(正芯半导体)
- 商品型号
- RC65D160A
- 商品编号
- C19630736
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.526克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 239pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V |
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