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4N0604 TO220-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
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- 描述
- TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 4N0604 TO220-VB
- 商品编号
- C19626788
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.736克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV_RMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 引脚至焊盘爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度达175 °C
- 动态dV/dt额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本