4N60L-TA3-T-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
4N60L-TA3-T-VB商品编号
C19626789商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.818克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V |
数据手册PDF
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