MT28F008B5VG-8 TET
8Mb SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY，5V 单电源或双电源，0.18um 工艺技术
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT28F008B5VG-8 TET
- 商品编号
- C19594365
- 商品封装
- TSOP-40
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 8Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；上电复位 |
商品概述
MT28F008B5（x8）和MT28F800B5（x16/x8）是非易失性、电可块擦除（闪存）、可编程只读存储器，包含8388608位，组织为524288个字（16位）或1048576个字节（8位）。使用5V VPP电压进行设备的写入或擦除操作，而所有操作均使用5V VCC进行。由于工艺技术的进步，5V VPP对于应用和生产编程是最优的。这些设备采用美光先进的0.18μm CMOS浮栅工艺制造。 MT28F008B5和MT28F800B5被组织成11个可单独擦除的块。为确保关键固件免受意外擦除或覆盖，这些设备具有硬件保护的引导块。该块可用于存储在低级系统恢复中实现的代码。其余块的密度不同，并且在没有额外安全措施的情况下进行写入和擦除。 MT28F800B5和MT28F008B5闪存存储器具有许多非常适合系统固件的特性。存储阵列被分割成各个擦除块。每个块可以在不影响其他块中存储的数据的情况下被擦除。这些存储块通过向命令执行逻辑（CEL）发送命令来进行读取、写入和擦除操作。CEL控制内部状态机（ISM）的操作，该状态机完全控制所有写入、块擦除和验证操作。ISM保护每个存储位置免受过擦除，并优化每个存储位置以实现最大的数据保留。此外，ISM大大简化了在系统内或外部编程器中写入设备所需的控制。
商品特性
- 十一个擦除块：16KB/8K字引导块（受保护），两个8KB/4K字参数块，八个主存储块
- Smart 5技术（B5）：5V ± 10% VCC，5V ± 10% VPP应用/生产编程
- 先进的0.18μm CMOS浮栅工艺
- 与0.3μm Smart 5设备兼容
- 地址访问时间：80ns
- 100,000次擦除循环
- 行业标准引脚排列
- 自动写入和擦除算法
- 双周期写入/擦除序列
- TSOP和SOP封装选项
- 字节或字宽读取和写入（MT28F800B5，1兆x 8/512K x 16）